
STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 場效應(yīng)管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK

制造商:STMICROELECTRONICS
庫存編號:
制造商編號:VND1NV04TR-E
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國4785
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 11.91
價格:
庫存編號:
制造商編號:VND1NV04TR-E
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國4785
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 11.91
價格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 9 | CNY 11.91 |
10 - 99 | CNY 9.36 |
100 - 249 | CNY 7.51 |
250 - 499 | CNY 6.59 |
500+ | CNY 5.97 |

描述信息:
- 晶體管極性:N Channel
- 開態(tài)電阻, Rds(on):250mohm
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:DPAK
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:Power MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
- 電壓, Vds 典型值:45V
- 電流, Id 連續(xù):0.5A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
產(chǎn)品屬性:
重量(公斤):0.00195
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:
描述信息:
- 晶體管極性:N Channel
- 開態(tài)電阻, Rds(on):250mohm
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:DPAK
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:Power MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
- 電壓, Vds 典型值:45V
- 電流, Id 連續(xù):0.5A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V

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